SI3590DV-T1-E3_Vishay_威世_TSOP6_MOSFETs

SI3590DV-T1-E3_Vishay_威世_TSOP6_MOSFETs

SI3590DV-T1-E3 型号参数

SI3590DV-T1-E3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子搅拌器、电源供应器、 MP3播放器、游戏机、汽车，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI3590DV-T1-E3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：MOSFET TSOP6 N + P-Channel ID=3A，ID=2A

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子除湿机、数码相机、音频线材、录像机、电子净水器、饮水机、手机充电器、音频功率放大器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
IRFBG30PBF	MOS管 N-Channel VDS=1000V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=5mΩ@10V TO220
SI4062DY-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32.1A RDS(ON)=4.2mΩ@10V SOIC8_150MIL
SI2315BDS-T1-E3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=3A RDS(ON)=50mΩ@4.5V SOT23-3
SI4128DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 10.9A（Ta） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SI2347DS-T1-GE3	MOSFETs 30V 3.9A 68mΩ P Channel SOT23
SIZ342DT-T1-GE3	MOSFETDLN-CH30VPOWERPAIR3X3
SIDR622DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=64.6A RDS(ON)=17.7mΩ@10V
SI9407BDY-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.7A RDS(ON)=120mΩ@10V SOIC8_150MIL
SQ2308CES-T1_GE3	表面贴装型 N 通道 60 V 2.3A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SIS402DN-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=6mΩ@10V

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