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SIS402DN-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_3.05X3.05MM_MOSFETs

SIS402DN-T1-GE3 型号参数

SIS402DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能照明系统、显卡、电子烤箱温度计、电子驱蚊器、 CT扫描仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电动自行车、电子除湿机、光纤连接器、电子除螨仪、电子按摩器、 USB闪存盘、智能手表、笔记本电脑等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI9933CDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=58mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
SI7489DP-T1-E3	MOSFETs P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=28A RDS(ON)=41mΩ@10V
SI2306BDS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 30 V 3.16A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SIS406DN-T1-GE3	MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:9A POWERPAK-1212-8
SI4800BDY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 6.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SOIC
SI2312BDS-T1-GE3	MOSFETs VDS=20V ID=5A P=750mW RDS=31mΩ@4.5V N Channel SOT23-3
IRF9640STRLPBF	表面贴装型 P 通道 200 V 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） D²PAK（TO-263）
IRFP460PBF	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-247AC
SI7113DN-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=13.2A RDS(ON)=134mΩ@10V
SI7121DN-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=16A RDS(ON)=15mΩ@10V

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