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SI4062DY-T1-GE3_Vishay_威世_SOIC8_150MIL_MOSFETs

SI4062DY-T1-GE3 型号参数

SI4062DY-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能家居控制器、射频连接器、电子加湿器、电动工具、模拟信号处理器（ASP），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子搅拌器、扫描仪、信号发生器、电子手表、 MRI扫描仪、电子空气净化器、烤箱、手机充电器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI7615ADN-T1-GE3	MOSFETs P-channel VDS=20V ID=35A PowerPAK1212-8
IRFP460APBF	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-247AC
SIR882ADP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=17.6A RDS(ON)=8.7mΩ@10V
SI4909DY-T1-GE3	MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
IRFP32N50KPBF	MOSFETs N-Channel VDS=500V RDS=135mΩ ID=32A P=460W
SI7884BDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 40 V 58A（Tc） 4.6W（Ta），46W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI1022R-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=330mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT416-3
SI7121DN-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=16A RDS(ON)=15mΩ@10V
SIDR622DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=64.6A RDS(ON)=17.7mΩ@10V
SI4401DDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10.2A RDS(ON)=15mΩ@10V SOIC8_150MIL

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