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SIZ342DT-T1-GE3_Vishay_威世_PowerWDFN8_MOSFETs

SIZ342DT-T1-GE3 型号参数

SIZ342DT-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如数字信号处理器（DSP）、电子翻译器、摄像机、不间断电源（UPS）、耳机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SIZ342DT-T1-GE3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：MOSFETDLN-CH30VPOWERPAIR3X3

应用场景

MOSFETs可应用场景，如虚拟现实头盔、电子门锁、逻辑分析仪、 LCD显示屏、电子阅读器、蓝牙耳机、血糖仪、触摸屏等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SIR474DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI7322DN-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 18A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SI2303CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 30 V 2.7A（Tc） 1W（Ta），2.3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SQ2309ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 60 V 1.7A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SIHG30N60E-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=29A RDS(ON)=125mΩ@10V TO247AC
SI2365EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=32mΩ@4.5V SOT23-3
SI2371EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=45mΩ@10V SOT23-3
SI2325DS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3
SI2324DS-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 2.3A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
2N7002E-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 60 V 240mA（Ta） 350mW（Ta） TO-236

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