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SI2347DS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SI2347DS-T1-GE3 型号参数

SI2347DS-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如视频线材、 DVD播放器、万用表、电动自行车充电器、网络适配器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI2347DS-T1-GE3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：MOSFETs 30V 3.9A 68mΩ P Channel SOT23

应用场景

MOSFETs可应用场景，如内存条、不间断电源（UPS）、路由器、移动硬盘、智能家居控制系统、音频线材、调制解调器、 B超机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SUD50P04-08-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=8.1mΩ@10V TO252
SIS402DN-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=6mΩ@10V
SI2325DS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3
IRFP240PBF	MOSFETs TO247AC N-Channel VDS=200V ID=20A
SIZ340DT-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 30V 30A，40A 16.7W，31W 表面贴装型 8-Power33（3x3）
IRFI640GPBF	通孔 N 通道 200 V 9.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
SIHG30N60E-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=29A RDS(ON)=125mΩ@10V TO247AC
IRFBC30PBF	通孔 N 通道 600 V 3.6A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
SI7232DN-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=10A RDS(ON)=16.4mΩ@4.5V PowerPAK® 1212-8
SI7322DN-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 18A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8

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