SI2315BDS-T1-E3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SI2315BDS-T1-E3 型号参数

SI2315BDS-T1-E3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子加湿器、触摸屏、电子阅读器、虚拟现实头盔、机械硬盘，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如安防摄像头、电子胎心监测仪、 MRI扫描仪、电子罗盘、光纤连接器、 USB闪存盘、 B超机、人脸识别设备等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SQ2389ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 40 V 4.1A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI2309CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 60 V 1.6A（Tc） 1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SIB441EDK-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=8.3A RDS(ON)=25.5mΩ@4.5V
IRFD9120PBF	通孔 P 通道 100 V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
SI2306BDS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 30 V 3.16A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI9933CDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=58mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
SUM110P04-05-E3	MOSFETs P-channel VDS=40V ID=110A TO263-3
IRF9640STRLPBF	表面贴装型 P 通道 200 V 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） D²PAK（TO-263）
SI4948BEY-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 60V 2.4A 1.4W 表面贴装型 8-SOIC
SI2342DS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=8V VGS=±5V ID=6A RDS(ON)=17mΩ@4.5V SOT23-3

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