SIDR622DP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_5X6MM_MOSFETs

SIDR622DP-T1-GE3 型号参数

SIDR622DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如交流电源、逆变器、录像机、电子阅读器、显卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如集成电路板、音响设备、网卡、 LED显示器、智能手机、 3D打印机、洗衣机、音频信号处理器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SQ2325ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 150 V 840mA（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI2301BDS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 20 V 2.2A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
IRFP250PBF	通孔 N 通道 200 V 30A（Tc） 190W（Tc） TO-247AC
SI3590DV-T1-E3	MOSFET TSOP6 N + P-Channel ID=3A，ID=2A
TP0610K-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=60V ID=185mA P=350mW TO236
SI7117DN-T1-E3	表面贴装型 P 通道 150 V 2.17A（Tc） 3.2W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SI9407BDY-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.7A RDS(ON)=120mΩ@10V SOIC8_150MIL
SQ2309ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 60 V 1.7A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SQ2389ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 40 V 4.1A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SIR422DP-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=40A RDS(ON)=6.6mΩ@10V

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