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SQ2308CES-T1_GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SQ2308CES-T1_GE3 型号参数

SQ2308CES-T1_GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 3D打印机、数码相机、电子血压手环、电子驱蚊器、音频功率放大器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子游戏机手柄、逻辑分析仪、电子阅读器、频谱分析仪、电动车、信号发生器、气体报警器、单片机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SUD50P10-43L-GE3	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=43mΩ@10V DPAK
SI2343DS-T1-E3	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=4A
SI2309CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 60 V 1.6A（Tc） 1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SIR876ADP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 40A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI2307CDS-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2.7A RDS(ON)=88mΩ@10V SOT23-3
SIR882ADP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=17.6A RDS(ON)=8.7mΩ@10V
SI4403CDY-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 13.4A（Tc） 5W（Tc） 8-SOIC
IRF9640PBF	通孔 P 通道 200 V 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SQ2325ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 150 V 840mA（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI7450DP-T1-E3	MOSFETs N-Channel VDS=200V ID=3.2A PowerPAK® SO-8

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