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TPH3R70APL_L1Q_Toshiba_东芝_PowerVDFN8_MOSFETs

TPH3R70APL,L1Q 型号参数

TPH3R70APL,L1Q是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动自行车、冰箱、功放设备、电子净水器、不间断电源（UPS），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：TPH3R70APL,L1Q
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=3.7mΩ@10V SOP Advance8

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子手表、网卡、 RFID读写器、电子厨房计时器、游戏机、电子灭蚊灯、电子空气净化器、电子驱蚊器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SSM3J328R,LF(T	表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
TK100E08N1,S1X(S	MOSFETs N沟道 Vdss：80V Id：100A Pd：255W TO-220
T2N7002AK,LM	MOSFET N-CH 60V 0.2A
SSM6N35FE,LM	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）
SSM3J332R,LF(T	表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
SSM3K37FS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3J46CTB(TPL3)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：103mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3K15AFS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
TPH2R506PL,L1Q	• High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers

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