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SSM3J328R_LF(T_Toshiba_东芝_SOT23F_MOSFETs

SSM3J328R,LF(T 型号参数

SSM3J328R,LF(T是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如录像机、扫描仪、电磁炉、电子广告牌、电子签到系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SSM3J328R,LF(T
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F

应用场景

MOSFETs可应用场景，如信号发生器、微处理器、电动自行车充电器、平板电脑、现场可编程门阵列（FPGA）、数码相机、模拟信号处理器（ASP）、电子助听器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SSM3K15AFS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
2SK3569	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=10A RDS(ON)=750mΩ@10V TO220F
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）
2SK3476(TE12L,Q	MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=20V ID=3A
TK100E08N1,S1X(S	MOSFETs N沟道 Vdss：80V Id：100A Pd：255W TO-220
SSM3J332R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA
SSM3J56MFV,L3F(T	Load Switching Applications
SSM3J332R,LF(T	表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
TPH3R70APL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=3.7mΩ@10V SOP Advance8
SSM3K35MFV(TPL3)	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications

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