TPH2R506PL_L1Q_Toshiba_东芝_SOP8 Advance_5X5MM_MOSFETs

TPH2R506PL_L1Q_Toshiba_东芝_SOP8 Advance_5X5MM_MOSFETs

TPH2R506PL,L1Q 型号参数

TPH2R506PL,L1Q是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如录像机、 CT扫描仪、液晶显示器、可编程逻辑控制器（PLC）、电子湿度计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：TPH2R506PL,L1Q
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：• High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers

应用场景

MOSFETs可应用场景，如功放器、智能安防摄像头、烤箱、示波器、摄像头、功放设备、吸尘器、信号发生器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SSM3K37FS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM6N56FE,LM	VDS=20V ID=800mA Pd=150mW 2 N-Channel ES6 MOSFETs ROHS
2SK3878	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=9A RDS(ON)=1.3Ω@10V SC65
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
SSM3K35MFV(TPL3)	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
SSM3J46CTB(TPL3)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：103mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3J332R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA
TPH2R608NH,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=2.6mΩ@10V SOP Advance8
SSM3K345R,LF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23F
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）

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