2SK3476(TE12L_Q_Toshiba_东芝_5N1A-2_MOSFETs

2SK3476(TE12L_Q_Toshiba_东芝_5N1A-2_MOSFETs

2SK3476(TE12L,Q 型号参数

2SK3476(TE12L,Q是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如耳机、音频功率放大器、热水器、电子灭蚊灯、门禁系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：2SK3476(TE12L,Q
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=20V ID=3A

应用场景

MOSFETs可应用场景，如可编程逻辑控制器（PLC）、智能家居控制系统、显卡、视频线材、射频连接器、电子体温计探头、路由器、光纤连接器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
T2N7002AK,LM	MOSFET N-CH 60V 0.2A
TPH2R608NH,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=2.6mΩ@10V SOP Advance8
SSM3J356R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）
SSM3K37MFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3J46CTB(TPL3)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：103mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
2SK3476(TE12L,Q	MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=20V ID=3A
SSM6J511NU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP
SSM3K15AFS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F

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