SSM3K35MFV(TPL3)_Toshiba_东芝_SOT-723-3_MOSFETs

SSM3K35MFV(TPL3)_Toshiba_东芝_SOT-723-3_MOSFETs

SSM3K35MFV(TPL3) 型号参数

SSM3K35MFV(TPL3)是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如频谱分析仪、智能家居控制器、现场可编程门阵列（FPGA）、空调、电子广告牌，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SSM3K35MFV(TPL3)
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications

应用场景

MOSFETs可应用场景，如交换机、电动工具、复印机、无线网卡、逻辑分析仪、电子书阅读器、智能手机、智能插座等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SSM3K123TU,LF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=4.2A RDS(ON)=28mΩ@4V UFM3
SSM3K15AFS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）
SSM3J338R,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=17.6mΩ@8V SOT23F
SSM3J356R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA
SSM3K324R,LF(T	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT23F
SSM3J46CTB(TPL3)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：103mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3K35AMFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA
2SK3569	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=10A RDS(ON)=750mΩ@10V TO220F
SSM3J328R,LF(T	表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F

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