SSM3K324R_LF(T_Toshiba_东芝_SOT23F_MOSFETs

SSM3K324R_LF(T_Toshiba_东芝_SOT23F_MOSFETs

SSM3K324R,LF(T 型号参数

SSM3K324R,LF(T是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子湿度计、无人机、冰箱、网卡、智能照明系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SSM3K324R,LF(T
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT23F

应用场景

MOSFETs可应用场景，如智能音箱、稳压电源、计算机、微波炉、逆变器、电子秤、电子体温计探头、变压器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
2SK3569	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=10A RDS(ON)=750mΩ@10V TO220F
TPH2R608NH,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=2.6mΩ@10V SOP Advance8
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）
SSM3K35AMFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA
SSM3K37MFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3J356R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA
SSM3J56MFV,L3F(T	Load Switching Applications
SSM3J332R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA
T2N7002AK,LM	MOSFET N-CH 60V 0.2A
SSM3K35MFV(TPL3)	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications

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