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SSM3K324R_LF(T_Toshiba_东芝_SOT23F_MOSFETs

SSM3K324R,LF(T 型号参数

SSM3K324R,LF(T是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音响系统、电子体温计探头、万用表、模拟信号处理器（ASP）、电子书阅读器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SSM3K324R,LF(T
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT23F

应用场景

MOSFETs可应用场景，如音频信号处理器、单片机、手机、遥控器、声卡、音频线材、频谱分析仪、电子体温计探头等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
TPHR9003NL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=220A RDS(ON)=0.9mΩ@10V SOP Advance8
TPH2R608NH,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=2.6mΩ@10V SOP Advance8
SSM3J334R,LF(T	VDS=30V ID=4A RDSon=71mΩ@10V,3A PD=1W Vth=2V@100uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS
SSM3J338R,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=17.6mΩ@8V SOT23F
TK100E08N1,S1X(S	MOSFETs N沟道 Vdss：80V Id：100A Pd：255W TO-220
SSM6N56FE,LM	VDS=20V ID=800mA Pd=150mW 2 N-Channel ES6 MOSFETs ROHS
SSM3J332R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA
SSM3J56MFV,L3F(T	Load Switching Applications
SSM6N35FE,LM	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
SSM3J328R,LF(T	表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F

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