SSM6J511NU_LF_Toshiba_东芝_UDFN6B_2X2MM_EP_MOSFETs

SSM6J511NU_LF_Toshiba_东芝_UDFN6B_2X2MM_EP_MOSFETs

SSM6J511NU,LF 型号参数

SSM6J511NU,LF是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子体温计探头、投影仪、网卡、电子阅读器、电子琴，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SSM6J511NU,LF
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP

应用场景

MOSFETs可应用场景，如智能安防摄像头、心电图仪、复印机、万用表、不间断电源（UPS）、光纤连接器、吉他效果器、电子净水器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
2SK3476(TE12L,Q	MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=20V ID=3A
SSM3J356R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA
SSM3K37FS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM6N56FE,LM	VDS=20V ID=800mA Pd=150mW 2 N-Channel ES6 MOSFETs ROHS
SSM3K324R,LF(T	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT23F
SSM3K35AMFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA
TK100E08N1,S1X(S	MOSFETs N沟道 Vdss：80V Id：100A Pd：255W TO-220
SSM3K123TU,LF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=4.2A RDS(ON)=28mΩ@4V UFM3
T2N7002AK,LM	MOSFET N-CH 60V 0.2A

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