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SSM6J511NU_LF_Toshiba_东芝_UDFN6B_2X2MM_EP_MOSFETs

SSM6J511NU,LF 型号参数

SSM6J511NU,LF是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子湿度计、电子白板、电子手表、蓝牙耳机、电子书阅读器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SSM6J511NU,LF
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP

应用场景

MOSFETs可应用场景，如机械硬盘、电子阅读器、单片机、稳压电源、平板电脑、电子榨汁机、冰箱、频谱分析仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SSM3K37FS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM6N35FE,LM	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
SSM3J334R,LF(T	VDS=30V ID=4A RDSon=71mΩ@10V,3A PD=1W Vth=2V@100uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）
SSM3J332R,LF(T	表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
SSM6N56FE,LM	VDS=20V ID=800mA Pd=150mW 2 N-Channel ES6 MOSFETs ROHS
SSM3K15AFS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
TPHR9003NL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=220A RDS(ON)=0.9mΩ@10V SOP Advance8
SSM3K35AMFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA

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