SI7288DP-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAKSO8_MOSFETs

SI7288DP-T1-GE3 型号参数

SI7288DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如固态硬盘、电子广告牌、电子按摩器、安防摄像头、逻辑分析仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如交流电源、 RFID读写器、调制解调器、智能手机、汽车电子控制系统、电子气压计、液晶显示器、音响系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI2301CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 3.1A（Tc） 860mW（Ta），1.6W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SIDR622DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=64.6A RDS(ON)=17.7mΩ@10V
SI4909DY-T1-GE3	MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
IRFI640GPBF	通孔 N 通道 200 V 9.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
SI2312CDS-T1-GE3	MOSFETs N沟道 20V 6A SOT23
SI4134DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 14A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SI3590DV-T1-E3	MOSFET TSOP6 N + P-Channel ID=3A，ID=2A
SIR422DP-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=40A RDS(ON)=6.6mΩ@10V
SI2342DS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=8V VGS=±5V ID=6A RDS(ON)=17mΩ@4.5V SOT23-3
SI7852DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 80 V 7.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8

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