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SI7288DP-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAKSO8_MOSFETs

SI7288DP-T1-GE3 型号参数

SI7288DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 B超机、电子搅拌器、指纹识别器、集成电路板、智能门锁，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI7288DP-T1-GE3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 Dual N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=19mΩ@10V PowerPAK® SO-8

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子加湿器、智能插座、电子气压计、 CT扫描仪、 OLED显示屏、电子体重秤、电子美容仪、模拟信号处理器（ASP）等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
2N7002-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@5V SOT23-3
SI7454DDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 21A（Tc） 4.1W（Ta），29.7W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI4459ADY-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=29A RDS(ON)=5mΩ@10V SOIC8_150MIL
SI2301CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 3.1A（Tc） 860mW（Ta），1.6W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRF9540PBF	通孔 P 通道 100 V 19A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
SI7617DN-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=13.9A RDS(ON)=12.3mΩ@10V
SIS402DN-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=6mΩ@10V
IRFD9120PBF	通孔 P 通道 100 V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
SQJ459EP-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=52A RDS(ON)=18mΩ@10V
SI2312BDS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 20 V 3.9A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

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