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SI7852DP-T1-GE3_Vishay_威世_SO8_MOSFETs

SI7852DP-T1-GE3 型号参数

SI7852DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电视机、不间断电源（UPS）、整流器、微处理器、数字信号处理器（DSP），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如万用表、虚拟现实头盔、网卡、信号发生器、烤箱、单片机、专用集成电路（ASIC）、智能安防摄像头等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRF740PBF	通孔 N 通道 400 V 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SQJ459EP-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=52A RDS(ON)=18mΩ@10V
SI2319CDS-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=4.4A RDS(ON)=77mΩ@10V SOT23-3
SI2312BDS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 20 V 3.9A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI2343DS-T1-E3	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=4A
SI4162DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 19.3A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
IRFBG30PBF	MOS管 N-Channel VDS=1000V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=5mΩ@10V TO220
IRF644PBF	MOS管 N-Channel VDS=250V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=280mΩ@10V TO220AB
SI7117DN-T1-E3	表面贴装型 P 通道 150 V 2.17A（Tc） 3.2W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SI4062DY-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32.1A RDS(ON)=4.2mΩ@10V SOIC8_150MIL

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