SI7852DP-T1-GE3_Vishay_威世_SO8_MOSFETs

SI7852DP-T1-GE3_Vishay_威世_SO8_MOSFETs

SI7852DP-T1-GE3 型号参数

SI7852DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如不间断电源（UPS）、汽车电子控制系统、计算机、烟雾报警器、蓝牙耳机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI7852DP-T1-GE3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：表面贴装型 N 通道 80 V 7.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子搅拌器、可编程逻辑控制器（PLC）、耳机、液晶显示器、电子净水器、电子湿度计、虚拟现实头盔、电路板等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SIDR622DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=64.6A RDS(ON)=17.7mΩ@10V
IRFB20N50KPBF	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-220AB
IRFR430ATRPBF	表面贴装型 N 通道 500 V 5A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
SI7615ADN-T1-GE3	MOSFETs P-channel VDS=20V ID=35A PowerPAK1212-8
SIR882ADP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=17.6A RDS(ON)=8.7mΩ@10V
SI7113DN-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=13.2A RDS(ON)=134mΩ@10V
SI2323DS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 20 V 3.7A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI2303CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 30 V 2.7A（Tc） 1W（Ta），2.3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRFI640GPBF	通孔 N 通道 200 V 9.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
SI7149DP-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=23.7A RDS(ON)=5.2mΩ@10V

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