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SI2312CDS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SI2312CDS-T1-GE3 型号参数

SI2312CDS-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如视频线材、直流电源、电子除湿机、电子湿度计、吉他效果器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如摄像机、网络适配器、集成电路板、电子空气净化器、 USB闪存盘、扫描仪、电子胎心监测仪、电子签到系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRFD120PBF	通孔 N 通道 100 V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
SI2333CDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=5.1A RDS(ON)=35mΩ@4.5V SOT23-3
IRF820PBF	通孔 N 通道 500 V 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
IRFBC30PBF	通孔 N 通道 600 V 3.6A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
SI7121DN-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=16A RDS(ON)=15mΩ@10V
SI7454DDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 21A（Tc） 4.1W（Ta），29.7W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI4948BEY-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 60V 2.4A 1.4W 表面贴装型 8-SOIC
IRF9640PBF	通孔 P 通道 200 V 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SI7615ADN-T1-GE3	MOSFETs P-channel VDS=20V ID=35A PowerPAK1212-8
SIDR622DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=64.6A RDS(ON)=17.7mΩ@10V

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