SIR422DP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs

SIR422DP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs

SIR422DP-T1-GE3 型号参数

SIR422DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如录像机、电子除湿机、电子厨房计时器、电动自行车、交换机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SIR422DP-T1-GE3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：MOSFETs N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=40A RDS(ON)=6.6mΩ@10V

应用场景

MOSFETs可应用场景，如投影仪、射频连接器、微波炉、电子除湿机、数码相机、电子按摩器、扫地机器人、不间断电源（UPS）等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SI2304BDS-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 2.6A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI2303CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 30 V 2.7A（Tc） 1W（Ta），2.3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SIZ340DT-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 30V 30A，40A 16.7W，31W 表面贴装型 8-Power33（3x3）
SIE808DF-T1-E3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±20V ID=45A RDS(ON)=1.6mΩ@10V
IRFB20N50KPBF	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-220AB
SUM110P04-05-E3	MOSFETs P-channel VDS=40V ID=110A TO263-3
SIA517DJ-T1-GE3	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=29mΩ,61mΩ@4.5V
IRFD9024PBF	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.6A RDS(ON)=280mΩ@10V
SI7454DDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 21A（Tc） 4.1W（Ta），29.7W（Tc） PowerPAK® SO-8
SQ2325ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 150 V 840mA（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）

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