SI4909DY-T1-GE3_Vishay_威世_SOT96-1_MOSFETs

SI4909DY-T1-GE3 型号参数

SI4909DY-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子温度计、 3D打印机、血糖仪、交流电源、热水器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电饭煲、电子血压计、 LED显示器、 USB闪存盘、智能手机、逻辑分析仪、电子搅拌器、电子门锁等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI7738DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=38mΩ@10V
SI2347DS-T1-GE3	MOSFETs 30V 3.9A 68mΩ P Channel SOT23
IRFP264PBF	MOSFETs N-Channel VDS=250V RDS=75mΩ ID=38A P=280W
IRF840BPBF	通孔 N 通道 500 V 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
IRF530PBF	通孔 N 通道 100 V 14A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
SI2308BDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.3A RDS(ON)=156mΩ@10V SOT23-3
SI4948BEY-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 60V 2.4A 1.4W 表面贴装型 8-SOIC
SIR474DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc） PowerPAK® SO-8
IRF830PBF	MOSFETs VDS=500V RDS=1.5Ω@10V ID=4.5A P=74W
SI8800EDB-T2-E1	表面贴装型 N 通道 20 V 2A（Ta） 500mW（Ta） 4-Microfoot

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