NCEP60T12AK_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCEP60T12AK 型号参数

NCEP60T12AK是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如无人机、 LCD显示屏、万用表、功放器、模拟信号处理器（ASP），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如内存条、显卡、电子秤、话筒（麦克风）、 OLED显示屏、电子胎心监测仪、机器人、声卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE6020AK	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W
NCEP023N10T	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247
NCE01H10D	N-沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
NCE60H10K	MOSFETs N-Channel TO252-2L Vds=60V Vgs=±20V Id=100A Pd=170W
NCE2303	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W
NCEP85T11	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W
NCE01ND03S	双N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=3A P=2W
NCE40P05Y	P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W
NCEP60T20	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：255W TO220-3L
NCE65T540K	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W

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