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NCEP85T11_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

NCEP85T11 型号参数

NCEP85T11是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动自行车控制器、 3D打印机、实验室离心机、稳压电源、 RFID读写器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子按摩器、血糖仪、心电图仪、虚拟现实头盔、烟雾报警器、蓝牙音箱、 LED照明灯、吉他效果器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE4012S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCE7560K	N沟道漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：140W
NCE3080K	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W
NCE60ND18G	N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP
NCE3065K	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W
NCE30H10	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L
NCE65TF099T	MOS管 N-channel Id=38A VDS=650V TO247
NCE0115K	MOSFETs N-Channel Vdss=100V Vgs=±20V Id=15A 50W TO252-2L
NCE4060K	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W
NCEP078N10G	VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ

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