NCE01ND03S_NCE_无锡新功率_SOP8_150MIL_MOSFETs

NCE01ND03S 型号参数

NCE01ND03S是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如调音台、电子助听器、笔记本电脑、手机充电器、电动车充电器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NCE65T260	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：33.2W
NCE3400	N沟道增强型功率MOSFET
NCE6080A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
NCE6008AS	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL
NCE70T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCEP023N10T	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247
NCE2312	N沟道增强型功率MOSFET
NCE82H140D	N沟道 VDS=82V VGS=±20V ID=140A P=220W
NCEP30T21GU	超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W
NCE0208KA	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：55W

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