NCE6020AK_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCE6020AK 型号参数

NCE6020AK是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子按摩器、智能手表、路由器、电子游戏机手柄、光纤连接器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如音响系统、电子温度计、智能手环、电子签到系统、洗衣机、饮水机、 OLED显示屏、 3D打印机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE3050	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP01T18	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W
NCEP30T21GU	超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W
NCE603S	N-channel,P-channel VDS=60V SOP8_150MIL
NCE60P50K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：95W
NCEP40T11G	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：75W
NCE2333Y	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W
NCE3090K	NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCE0110AK	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
NCE0102	N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W

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