NCE01H10D_NCE_无锡新功率_TO-263(D²Pak)_MOSFETs

NCE01H10D 型号参数

NCE01H10D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子助听器、音响设备、集成电路板、气体报警器、网卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如射频连接器、电子广告牌、电子血压计袖带、吉他效果器、交流电源、网卡、电子琴、机械硬盘等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP4090GU	NCEP4090GU
NCE0130KA	TO252 SMT 100V 30A
NCE0205IA	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：78W
NCE30P20Q	MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A
NCE55P04S	2个P沟道漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W
NCE60P12K	P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2
NCE3401	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W
NCE0140KA	N沟道增强型功率MOSFET
NCE8295AD	MOS管 N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A RDS(ON)=8mΩ@10V TO263-2L
NCE60P50K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：95W

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