NCE65T540K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCE65T540K 型号参数

NCE65T540K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动自行车充电器、电视机、电子除螨仪、打印机、液晶显示器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如手机、模拟信号处理器（ASP）、 3D打印机、机械硬盘、扫描仪、 CT扫描仪、电源供应器、气体报警器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE70T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCE0157A2	N沟道增强型功率MOSFET
NCE60P04R	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223
NCE6080A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
NCE4953	2个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W
NCEP85T25T	MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247
NCE40P05Y	P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W
NCE2060K	NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCE3400X	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=5.1A VGS=±12V SOT23-3
NCE20P45Q	MOSFETs 1个P沟道耐压:19V 电流:45A DFN8_3.3X3.3MM

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