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NCE60H10K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCE60H10K 型号参数

NCE60H10K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音频线材、电子体重秤、游戏机、智能手机、调制解调器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NCE65T900F	MOS管 N-channel Id=5A VDS=650V TO-220F
NCE30H12	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W
NCE3416	N沟道增强型功率MOSFET
NCE30P15S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：3.1W
NCE3080K	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W
NCE40P05Y	P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W
NCE65T540K	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W
NCE01H10D	N-沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
NCE60P82AK	MOSFETs P-CH 60V 82A 150W TO-252-2L
NCE4080	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L

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