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NCE8295AD_NCE_无锡新功率_TO263-2_MOSFETs

NCE8295AD 型号参数

NCE8295AD是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子血压计、变压器、智能家居控制系统、音响系统、固态硬盘，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 MRI扫描仪、吸尘器、模拟信号处理器（ASP）、实验室离心机、电子手表、电子美容仪、微波炉、逻辑分析仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP01T18	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W
NCE7560K	N沟道漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：140W
NCE30ND09S	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=9A P=2W
NCE3090K	NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCE65T540F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W
NCE3050	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP040N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W
NCE01P30K	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L
NCEP02T10D	NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L
NCE6003M	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W

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