NCE3065K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCE3065K 型号参数

NCE3065K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 RFID读写器、指纹识别器、电子游戏机手柄、电子除湿机、电子琴，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电动车、气体报警器、耳机、电子手表、 GPS定位器、电子翻译器、电动车充电器、电子搅拌器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE0102	N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W
NCE0224K	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W
NCE6020AI	N沟道 Vdss=60V Id=20A Pd=45W
NCE2303	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W
NCE65T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCE9926	2个N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W
NCEP035N85GU	NCEP035N85GU
NCEP60T18	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE6020AK	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W
NCEP02T10D	NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L

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