NCE82H140D_NCE_无锡新功率_TO263-2_MOSFETs

NCE82H140D 型号参数

NCE82H140D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子助听器、 USB闪存盘、现场可编程门阵列（FPGA）、门禁系统、音频信号处理器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如无人机、电子榨汁机、电子气压计、 3D打印机、 OLED显示屏、吸尘器、功放设备、智能门锁等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP072N10	MOS管 N-channel Id=90A VDS=100V TO220
NCEP018N85LL	NCEP018N85LL
NCE60ND18G	N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP
NCE3010S	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=10A SO8_150MIL
NCE3420	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP035N85GU	NCEP035N85GU
NCE4009S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W
NCE2301	场效应管MOSFET P沟道 -20V -3A 64mΩ
NCE6012AS	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCE8295AD	MOS管 N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A RDS(ON)=8mΩ@10V TO263-2L

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