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NCE82H140D_NCE_无锡新功率_TO263-2_MOSFETs

NCE82H140D 型号参数

NCE82H140D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如扬声器、蓝牙耳机、网卡、 OLED显示屏、音频线材，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NCE3420	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP85T16	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCEP60T20	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：255W TO220-3L
NCE60H10K	MOSFETs N-Channel TO252-2L Vds=60V Vgs=±20V Id=100A Pd=170W
NCE60P12K	P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2
NCEP023N10T	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCE60P50	MOS管 P-channel Id=50A VDS=60V TO220-3
NCE4080	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L
NCE3050	N沟道增强型功率MOSFET

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