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NCE70T360F_NCE_无锡新功率_TO220F_MOSFETs

NCE70T360F 型号参数

NCE70T360F是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如模拟信号处理器（ASP）、电子按摩器、汽车、调制解调器、冰箱，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如扫描仪、电子净水器、不间断电源（UPS）、摄像头、 GPS定位器、万用表、内存条、 X光机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE30ND09S	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=9A P=2W
NCE40P70K	P-channel Id=70A VDS=40V TO252-2
NCEP026N10	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：300W
NCEP023N10T	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247
NCE40P05S	MOSFETs P沟道 40V 5.3A 120mΩ@-4.5V SOP8
NCE8295A	N沟道 Vdss：82V Id：95A Pd：200W
NCE0110AK	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
NCE8295AD	MOS管 N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A RDS(ON)=8mΩ@10V TO263-2L
NCE60P25K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W
NCE3025Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W

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