NCE70T360F_NCE_无锡新功率_TO220F_MOSFETs

NCE70T360F 型号参数

NCE70T360F是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能插座、功放器、电子手表、电子烤箱温度计、投影仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子手表、固态硬盘、显卡、计算机、电磁炉、电子词典、智能安防摄像头、吉他效果器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE60P50K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：95W
NCE40H12	N沟道增强型功率MOSFET
NCE6045G	MOS管 N-channel Id=45A VDS=60V DFN8_5X6MM_EP
NCE60H10K	MOSFETs N-Channel TO252-2L Vds=60V Vgs=±20V Id=100A Pd=170W
NCE6005AR	N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L
NCE01P30K	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L
NCE30H12	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W
NCE0208KA	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：55W
NCE3007S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W
NCE65T260	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：33.2W

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