NCEP02T10D_NCE_无锡新功率_TO263-2_MOSFETs

NCEP02T10D 型号参数

NCEP02T10D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如微处理器、遥控器、调制解调器、空调、微波炉，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如录像机、电子门禁卡、液晶显示器、电子罗盘、智能照明系统、移动硬盘、电路板、 USB闪存盘等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP60T15G	MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCE6020AK	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W
NCE0140KA	N沟道增强型功率MOSFET
NCE40P70K	P-channel Id=70A VDS=40V TO252-2
NCE4060K	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W
NCE2312	N沟道增强型功率MOSFET
NCE65TF099T	MOS管 N-channel Id=38A VDS=650V TO247
NCE2060K	NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCE30H12	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W

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