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NCEP02T10D_NCE_无锡新功率_TO263-2_MOSFETs

NCEP02T10D 型号参数

NCEP02T10D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子空气净化器、示波器、 LED显示器、交流电源、摄像头，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如频谱分析仪、无人机、智能手环、电子体温计探头、吸尘器、电子翻译器、电子灭蚊灯、电子白板等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE3400	N沟道增强型功率MOSFET
NCE3010S	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=10A SO8_150MIL
NCE30H12	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W
NCEP018N85LL	NCEP018N85LL
NCE01P30K	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L
NCE65T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCE4060K	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W
NCEP85T11	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W
NCE0224K	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW

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