NCE6020AI_NCE_无锡新功率_TO-251-3_MOSFETs

NCE6020AI 型号参数

NCE6020AI是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能安防摄像头、平板电脑、稳压电源、电子空气净化器、蓝牙音箱，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 MP3播放器、调制解调器、电子秤、电动工具、机器人、电子书阅读器、电子空气净化器、电子驱蚊器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE8295A	N沟道 Vdss：82V Id：95A Pd：200W
NCE3020Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W
NCE3010S	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=10A SO8_150MIL
NCE3420	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP02T10D	NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L
NCEP4045GU	NCEP4045GU
NCE2060K	NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCE7190A	N沟道漏源电压(Vdss)：71V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：170W TO220-3L
NCE3025Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W
NCE65T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W

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