NCE65T900F_NCE_无锡新功率_TO220F_MOSFETs

NCE65T900F 型号参数

NCE65T900F是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如显卡、音频信号处理器、安防摄像头、可编程逻辑控制器（PLC）、音频线材，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电动自行车控制器、电路板、音频功率放大器、吸尘器、耳机、电子咖啡机、功放设备、智能音箱等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE30H10	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L
NCE4060K	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W
NCE01H10D	N-沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
NCE82H140D	N沟道 VDS=82V VGS=±20V ID=140A P=220W
NCE65T1K2F	MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3
NCE65T540F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W
NCEP4090AGU	MOSFETs N-沟道 40V 90A 2.9mΩ@10V
NCEP02T10D	NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L
NCE65TF099T	MOS管 N-channel Id=38A VDS=650V TO247
NCE60P04Y	MOS管 P-channel Id=4A VDS=60V SOT23-3

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