NCE65T1K2F_NCE_无锡新功率_TO220F-3_MOSFETs

NCE65T1K2F 型号参数

NCE65T1K2F是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能插座、网卡、变压器、电子词典、音响设备，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能门锁、调音台、光纤连接器、电子灭蚊灯、电子湿度计、智能手表、话筒（麦克风）、 RFID读写器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE0140KA	N沟道增强型功率MOSFET
NCE3401	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W
NCE6045XG
NCE6050A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W
NCE6012AS	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCEP60T12AK	MOSFETs VDS=60V VGS=±20V ID=120A PD=180W TO252-2
NCE4606	MOS管 N+P Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8
NCEP078N10G	VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ
NCE40P05Y	P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W
NCEP85T16	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：220W TO220-3L

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