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NCE65TF099T_NCE_无锡新功率_TO-247_MOSFETs

NCE65TF099T 型号参数

NCE65TF099T是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音响设备、现场可编程门阵列（FPGA）、无人机、智能照明系统、门禁系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如遥控器、显卡、手机充电器、微处理器、电视机、单片机、固态硬盘、音频功率放大器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE4060K	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W
NCE0103Y	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT23-3L
NCE60H15A	N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L
NCE3065K	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W
NCE2309	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.6A RDS(ON)=190mΩ@10V SOT23
NCEP040N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W
NCE30P15S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：3.1W
NCE2030	MOS管 N-channel Id=30A VDS=20V TO220-3
NCE2303	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W
NCE40P05S	MOSFETs P沟道 40V 5.3A 120mΩ@-4.5V SOP8

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