NCE60P04Y_NCE_无锡新功率_SOT-23_MOSFETs

NCE60P04Y 型号参数

NCE60P04Y是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音频线材、显示器、汽车电子控制系统、安防摄像头、单片机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如洗衣机、 CT扫描仪、音频线材、空调、音频功率放大器、指纹识别器、遥控器、智能手表等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP0178A	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：78A 功率(Pd)：125W TO220-3L
NCE0157A2	N沟道增强型功率MOSFET
NCE2302	N沟道增强型功率MOSFET
NCE30H10	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L
NCE3401	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W
NCEP01T18	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCE60ND18G	N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP
NCE6045G	MOS管 N-channel Id=45A VDS=60V DFN8_5X6MM_EP
NCE3090K	NCE N沟道增强型功率MOSFET

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