NCE65T360F_NCE_无锡新功率_TO220F_MOSFETs

NCE65T360F 型号参数

NCE65T360F是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如声卡、射频连接器、逻辑分析仪、实验室离心机、万用表，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如蓝牙耳机、实验室离心机、电子血压计、 LED照明灯、扬声器、电子净水器、电子咖啡机、台式电脑主机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE6020AK	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W
NCE7560K	N沟道漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：140W
NCE3416	N沟道增强型功率MOSFET
NCE30H12	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W
NCE70T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCE6050A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W
NCE30P20Q	MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A
NCE7190A	N沟道漏源电压(Vdss)：71V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：170W TO220-3L
NCEP60T18	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE3050	N沟道增强型功率MOSFET

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