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NCE7560K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCE7560K 型号参数

NCE7560K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能插座、变压器、 DVD播放器、电子湿度计、 B超机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如微处理器、虚拟现实头盔、示波器、 LED显示器、遥控器、智能门锁、逻辑分析仪、路由器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP60T20	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：255W TO220-3L
NCEP85T25T	MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247
NCE7560K	N沟道漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：140W
NCE8295AD	MOS管 N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A RDS(ON)=8mΩ@10V TO263-2L
NCEP40T11G	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：75W
NCE4606	MOS管 N+P Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8
NCE2030	MOS管 N-channel Id=30A VDS=20V TO220-3
NCEP60T18	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCEP60T15G	MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM
NCE6050A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W

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