NCE7560K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCE7560K 型号参数

NCE7560K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音频信号处理器、电子白板、电子广告牌、电子琴、机械硬盘，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能手环、电子签到系统、电子翻译器、变压器、智能手机、手机、电子烤箱温度计、虚拟现实头盔等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE0102	N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W
NCE6020AK	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W
NCEP035N85GU	NCEP035N85GU
NCEP0178A	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：78A 功率(Pd)：125W TO220-3L
NCE6003X	MOSFETs N-沟道 SOT23-3 Vds=60V Id=3A Pd=1.7W
NCE4009S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W
NCE3080K	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W
NCEP4090GU	NCEP4090GU
NCE3025Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W
NCEP40T11G	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：75W

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