NCE30H12_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

NCE30H12 型号参数

NCE30H12是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如集成电路板、 MP4播放器、液晶显示器、 3D打印机、可编程逻辑控制器（PLC），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如录像机、稳压电源、摄像头、智能门锁、电子血压手环、电动自行车充电器、门禁系统、指纹识别器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP60T15G	MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM
NCE01H10D	N-沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
NCE9926	2个N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W
NCE3080K	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W
NCE0224K	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W
NCE4080	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L
NCEP035N85GU	NCEP035N85GU
NCE3416	N沟道增强型功率MOSFET
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCE7560K	N沟道漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：140W

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