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NCE6050A_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

NCE6050A 型号参数

NCE6050A是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如逆变器、电子秤、电子榨汁机、智能家居控制器、 X光机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如数码相机、手机、逆变器、电子气压计、音频信号处理器、实验室离心机、电子温度计、无线网卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE6012AS	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCE30P30K	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：60W
NCE82H140D	N沟道 VDS=82V VGS=±20V ID=140A P=220W
NCE0157A2	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP072N10	MOS管 N-channel Id=90A VDS=100V TO220
NCE01H10D	N-沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
NCE6008AS	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL
NCE20P45Q	MOSFETs 1个P沟道耐压:19V 电流:45A DFN8_3.3X3.3MM
NCE3080KA	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=80A TO252-2L
NCE70T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W

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