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NCE30P20Q_NCE_无锡新功率_DFN8_3.3X3.3MM_EP_MOSFETs

NCE30P20Q 型号参数

NCE30P20Q是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子驱蚊器、扫地机器人、 OLED显示屏、逻辑分析仪、电子门禁卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如声卡、显卡、电子琴、 LCD显示屏、电子体温计探头、电子助听器、智能照明系统、 CT扫描仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP026N10	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：300W
NCE0103M	N沟道增强型功率MOSFET
NCE3400	N沟道增强型功率MOSFET
NCE3401	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W
NCE3050K	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
NCE60ND18G	N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP
NCE30P20Q	MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A
NCE3404	N沟道增强型功率MOSFET
NCE6020AI	N沟道 Vdss=60V Id=20A Pd=45W
NCEP60T15G	MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM

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