NCE30P20Q_NCE_无锡新功率_DFN8_3.3X3.3MM_EP_MOSFETs

NCE30P20Q 型号参数

NCE30P20Q是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电路板、电子除湿机、电动车充电器、电子琴、电子计算器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能家居控制器、网卡、摩托车、电子厨房计时器、示波器、电子琴、集成电路板、洗衣机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE30D2519K	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W
NCEP30T21GU	超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W
NCE3400	N沟道增强型功率MOSFET
NCE603S	N-channel,P-channel VDS=60V SOP8_150MIL
NCEP023N10T	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247
NCE3090K	NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCE6050KA	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W
NCE3420	N沟道增强型功率MOSFET
NCE30P20Q	MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L

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