NCE30P30K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCE30P30K 型号参数

NCE30P30K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如光纤连接器、笔记本电脑、 RFID读写器、耳机、电视机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如网卡、安防监控系统、电子计算器、智能家居控制器、扫描仪、模拟信号处理器（ASP）、单片机、智能手表等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE6045G	MOS管 N-channel Id=45A VDS=60V DFN8_5X6MM_EP
NCE4606	MOS管 N+P Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8
NCE0110AK	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
NCE2333Y	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W
NCE60P82AK	MOSFETs P-CH 60V 82A 150W TO-252-2L
NCE65T900F	MOS管 N-channel Id=5A VDS=650V TO-220F
NCE20P45Q	MOSFETs 1个P沟道耐压:19V 电流:45A DFN8_3.3X3.3MM
NCE60P04R	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223
NCE65T1K2F	MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3
NCE65T540F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W

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