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NCE20P45Q_NCE_无锡新功率_DFN8_3.3X3.3MM_MOSFETs

NCE20P45Q 型号参数

NCE20P45Q是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如可编程逻辑控制器（PLC）、红外感应器、电子气压计、打印机、智能门锁，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如冰箱、智能手表、路由器、 OLED显示屏、电视机、 USB闪存盘、电子咖啡机、平板电脑等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP60T18	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE30P15S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：3.1W
NCE3090K	NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCE0103Y	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT23-3L
NCE2301	场效应管MOSFET P沟道 -20V -3A 64mΩ
NCE60P82AK	MOSFETs P-CH 60V 82A 150W TO-252-2L
NCE0103M	N沟道增强型功率MOSFET
NCE6045XG
NCEP40T17A	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：250W TO220-3L
NCE30D2519K	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W

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