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NCE60P04R_NCE_无锡新功率_SOT-223-3_MOSFETs

NCE60P04R 型号参数

NCE60P04R是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如红外感应器、心电图仪、电子湿度计、微波炉、稳压电源，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如饮水机、平板电脑、直流电源、游戏机、复印机、电动自行车、洗衣机、笔记本电脑等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE55P04S	2个P沟道漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W
NCE0208KA	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：55W
NCEP035N85GU	NCEP035N85GU
NCEP30T21GU	超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W
NCEP6090AGU	MOSFETs N-沟道 60V 90A 100W 4.5mΩ@4.5V DFN5X6-8L
NCEP85T25T	MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247
NCE6005AR	N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L
NCE3020Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W
NCE9926	2个N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W
NCE6075K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：110W

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