NCE60P82AK_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCE60P82AK 型号参数

NCE60P82AK是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子门禁卡、视频线材、蓝牙音箱、安防摄像头、电源供应器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 MP3播放器、电子书阅读器、摩托车、蓝牙音箱、电动车充电器、扫描仪、现场可编程门阵列（FPGA）、空调等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE3025Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W
NCE01P30K	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L
NCE60P82AK	MOSFETs P-CH 60V 82A 150W TO-252-2L
NCEP0178A	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：78A 功率(Pd)：125W TO220-3L
NCEP01T18	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W
NCE3050	N沟道增强型功率MOSFET
NCE65T540K	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W
NCEP60T20	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：255W TO220-3L
NCE60ND18G	N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP
NCE40H12	N沟道增强型功率MOSFET

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