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NCE6045G_NCE_无锡新功率_DFN8_5X6MM_EP_MOSFETs

NCE6045G 型号参数

NCE6045G是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 LED显示器、心电图仪、电动自行车、电子除螨仪、电子搅拌器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如打印机、电动自行车、指纹识别器、智能照明系统、蓝牙音箱、功放设备、路由器、电子门禁卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE0103Y	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT23-3L
NCEP02T10D	NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L
NCE2301	场效应管MOSFET P沟道 -20V -3A 64mΩ
NCE0102	N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W
NCEP85T11	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W
NCE65T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCE3050K	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
NCE80H12D	MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W
NCE3407	P沟道增强型功率MOSFET
NCE6045G	MOS管 N-channel Id=45A VDS=60V DFN8_5X6MM_EP

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