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NCE2060K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCE2060K 型号参数

NCE2060K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如专用集成电路（ASIC）、实验室离心机、打印机、整流器、直流电源，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如逆变器、电子驱蚊器、烟雾报警器、电子阅读器、 LED照明灯、电子词典、电子门禁卡、交换机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE4606	MOS管 N+P Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8
NCE60P04R	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223
NCE4080	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L
NCEP60T15G	MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM
NCE7190A	N沟道漏源电压(Vdss)：71V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：170W TO220-3L
NCE0102	N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W
NCEP1520K	N沟道漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：68W
NCE0117	N沟道增强型功率MOSFET
NCE0205IA	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：78W
NCE2303	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W

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