NCE30ND09S_NCE_无锡新功率_SOP8_150MIL_MOSFETs

NCE30ND09S 型号参数

NCE30ND09S是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如单片机、电子白板、网络适配器、手机、烤箱，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如数字信号处理器（DSP）、交流电源、虚拟现实头盔、 MP3播放器、电子除湿机、烤箱、智能照明系统、 CT扫描仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE30H10	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L
NCEP039N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：135A 功率(Pd)：220W
NCEP60T20	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：255W TO220-3L
NCE2030	MOS管 N-channel Id=30A VDS=20V TO220-3
NCE55P04S	2个P沟道漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W
NCE60H15A	N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L
NCE3080K	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W
NCE60P04R	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223
NCE4009S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W
NCE6020AK	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W

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