NCE40P05S_NCE_无锡新功率_SOP8_150MIL_MOSFETs

NCE40P05S 型号参数

NCE40P05S是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如数码相机、红外感应器、扫描仪、触摸屏、电子秤，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能家居控制器、光纤连接器、单片机、电子白板、示波器、 LED显示器、电子按摩器、智能手环等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE3007S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W
NCE6045XG
NCE20P45Q	MOSFETs 1个P沟道耐压:19V 电流:45A DFN8_3.3X3.3MM
NCE60H15A	N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L
NCEP078N10G	VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ
NCE0205IA	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：78W
NCE30P15S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：3.1W
NCEP1545G	MOS管 N-channel Id=40A VDS=150V DFN8_5X6MM_EP
NCE2333Y	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W
NCE3050K	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W

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